紅外探測(cè)器在通訊、熱成像以及傳感方面具有廣泛的應(yīng)用。實(shí)用化的紅外探測(cè)器除HgCdTe、InSd等本證結(jié)構(gòu)紅外探測(cè)器外，還采用硅和硅化物的肖特基勢(shì)壘光電探測(cè)器，由于使用厚的金屬電極，使得響應(yīng)率低，導(dǎo)致其發(fā)展受到一定限制。

  納米材料制作的紅外光電探測(cè)器由于具有高的光響應(yīng)率，因此近年來基于量子阱、量子點(diǎn)、石墨烯、有機(jī)半導(dǎo)體的紅外探測(cè)器被大量報(bào)道。

  作為紅外探測(cè)器的一種重要的半導(dǎo)體材料，PbS量子點(diǎn)的響應(yīng)率達(dá)到2700A/W，可以與單晶硅制作器件的響應(yīng)性相比快。由于半導(dǎo)體光電探測(cè)器的響應(yīng)性與其載流子遷移率成正比，但是量子點(diǎn)的遷移率遠(yuǎn)低于石墨烯的遷移率。

  因此，使得量子點(diǎn)紅外探測(cè)器的發(fā)展受到一定限制。

  通過在高結(jié)晶性的化學(xué)氣相沉積法制備的石墨烯表面，利用高度有序的超博氧化鋁模板制備技術(shù)結(jié)合，有望構(gòu)建高性能的石墨烯基紅外光電探測(cè)器。