紅外探測(cè)器以軍用為中心正在迅速發(fā)展，其應(yīng)用范圍涉及偵察/監(jiān)視、射擊控制和制導(dǎo)等，前景十分廣闊。但是，它的發(fā)展水平取決于相關(guān)技術(shù)的水平，包括制造探測(cè)器的半導(dǎo)體技術(shù)及真空容器技術(shù)和冷卻探測(cè)器的極低溫技術(shù)。

  熱型探測(cè)器的主流是熱電探測(cè)器，為提高性能，必須開(kāi)發(fā)薄膜制備技術(shù)。而雙色探測(cè)器需要考慮的問(wèn)題是寬帶紅外膜層的制備、透雙色紅外材料選擇及器件表面紅外鍍膜等。如果與紫外波段綜合使用，除紫外探測(cè)器制備之外，這也是要解決的問(wèn)題。

  在超導(dǎo)紅外探測(cè)器的制備上，超導(dǎo)薄膜和絕緣層的制備都存在一定的困難。另外，GaAs探測(cè)器與HgCdTe探測(cè)器一樣，必須冷卻到77K才能工作，需用液氮冷卻。GaAs與單一的硅元素不同，子啊結(jié)晶過(guò)程中內(nèi)部容易產(chǎn)生缺陷，給集成電路的高集成化帶來(lái)困難，這有待于進(jìn)一步研究克服。