鉑上一氧化碳氧化中的關閉濃度現(xiàn)象和鉑薄膜的電阻或表面電位的平行陡峭變化被用于開發(fā)碳檢測器。

在鉑膜上涂上越來越厚的聚四氟乙烯 (PTFE) 會使這個關斷點移向增加 CO 濃度。

因此，由校準厚度的 PTFE 覆蓋的一系列電氣元件、鉑薄膜電阻、鉑 MOS 二極管或鉑柵極 MOS 晶體管將在確定的 CO 濃度下關閉，并且可以繼續(xù)作為數字檢測器的基礎。