從紅外探測(cè)器材料的選擇角度看，各種各樣的半導(dǎo)體材料（比如硅、鍺、硅鍺、砷化銦鎵以及磷化銦等）都可以用來(lái)進(jìn)行近紅外波段的探測(cè)。相比于體材料和薄膜材料，基于納米材料的近紅外光電探測(cè)器具有不肯比擬的性能優(yōu)勢(shì)。

  近年來(lái)，納米材料近紅外光電探測(cè)器的研究取得了很大的進(jìn)步，但是面臨的問(wèn)題和挑戰(zhàn)依然還有很多，主要以下幾個(gè)方面：

  1、高質(zhì)量的材料生長(zhǎng)技術(shù)

  近紅外探測(cè)器的性能取決于材料的形貌、品質(zhì)、導(dǎo)電率和尺寸等關(guān)鍵參數(shù)。雖然近年來(lái)在納米材料可控合成方面取得了長(zhǎng)足的發(fā)展，但是尺寸、形貌和化學(xué)成分高度可控的納米材料的合成依然是限制納米光電器件走向應(yīng)用的主要因素之一。此外，不同半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)技術(shù)還不夠成熟。受到半導(dǎo)體晶格失配以及熱失配等因素的制約，高質(zhì)量的外延半導(dǎo)體材料工藝復(fù)雜、難以大規(guī)模集成。

  2、光電轉(zhuǎn)化效率提高方法

  紅外探測(cè)器材料對(duì)近紅外光的充分吸收是實(shí)現(xiàn)高效光電轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)。目前，采用超大比表面積的納米結(jié)構(gòu)材料雖然能大幅度提高近紅外光的吸收能力，但是仍不能滿足高性能近紅外光電探測(cè)器的要求?；诰钟虮砻娴入x子共振效應(yīng)的探測(cè)器件能將入射光局域在光吸收層表面附近，通過(guò)優(yōu)化吸收層表面貴金屬顆粒的種類(lèi)、形貌、大小以及排列方式等參數(shù)，能很好地調(diào)整共振吸收峰的位置和強(qiáng)度。但是該領(lǐng)域的研究?jī)?nèi)容還不夠豐富，基本理論還不夠系統(tǒng)全面。

  3、單元探測(cè)器的集成技術(shù)

  單元近紅外光電探測(cè)器的功能十分有限，要想實(shí)現(xiàn)近紅外成像等關(guān)鍵技術(shù)，需要將單元紅外探測(cè)器組裝成探測(cè)器陣列。制備探測(cè)器陣列的難點(diǎn)在于需要成熟可靠的加工手段來(lái)實(shí)現(xiàn)納米材料的精確轉(zhuǎn)移、規(guī)則布線以及電信號(hào)絕緣等工藝。目前，只有半導(dǎo)體硅的加工工藝最為成熟，其他半導(dǎo)體材料的集成工藝復(fù)雜、成本較高，短期內(nèi)難以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的商業(yè)化生產(chǎn)。