在光電型探測(cè)器中，目前應(yīng)用比較廣泛的碲鎘汞探測(cè)器是基于帶間躍機(jī)制制成的半導(dǎo)體紅外探測(cè)器，其探測(cè)效率低且需冷卻至低溫方能工作，因而其應(yīng)用受到限制。
  因此，人們開(kāi)始研究在量子限制結(jié)構(gòu)中基于子帶內(nèi)躍遷的半導(dǎo)體器件。
  由半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的理論可知，在寬禁帶的材料中包裹窄禁帶材料，就會(huì)在兩種材料的導(dǎo)帶（或階帶）中出現(xiàn)能帶的斷續(xù)，并形成電子（或空穴）勢(shì)阱。通過(guò)將勢(shì)阱中的電子激發(fā)到勢(shì)阱外的寬禁帶材料中形成電子電流，就可以探測(cè)到響應(yīng)的光信號(hào)。
  由于以一定間隔分布在量子點(diǎn)中的子帶間能量處于中紅外譜區(qū)，因此量子點(diǎn)可用來(lái)制作長(zhǎng)波紅外輻射源的紅外探測(cè)器。同時(shí)，由于其特有的聲子瓶頸效應(yīng)的存在，使得其中載流子的馳豫時(shí)間變長(zhǎng)，長(zhǎng)的馳豫時(shí)間可確保光生載流子長(zhǎng)時(shí)間停留在激發(fā)態(tài)，從而對(duì)光電流做出更多的貢獻(xiàn)，從而改善紅外探測(cè)器性能。