迄今為止，在紅外領(lǐng)域人們研究了不同材料，并用于紅外探測(cè)器制備。下圖1展示了紅外探測(cè)器發(fā)展的主要?dú)v程，隨著材料生長(zhǎng)技術(shù)、半導(dǎo)體工藝技術(shù)及MEMS技術(shù)發(fā)展，紅外探測(cè)器向小尺寸、高性能、低功耗、百千萬像素、多色熔合、自適應(yīng)功能等方向發(fā)展。

  第二代焦平面探測(cè)器組件實(shí)現(xiàn)了凝視型像素水平（如320×256、640×512規(guī)格），第三代焦平面探測(cè)器組件則達(dá)到了百萬像素水平，實(shí)現(xiàn)了雙色探測(cè)器，同時(shí)讀出電路提供了更多功能。

  下一代紅外探測(cè)器在保證性能的前提下，向小尺寸（如超越衍射極限）、高溫工作（HOT）等方向進(jìn)行。通過減低像元尺寸，可降低成本，同時(shí)提高探測(cè)器的空間分辨率。實(shí)現(xiàn)高溫工作則可極大降低制冷要求，降低功耗，減低成本，實(shí)現(xiàn)真正意義上的小型化。

  另外，多譜段探測(cè)的市場(chǎng)需求也越來越大，尤其是軍事需求。對(duì)同一場(chǎng)景進(jìn)行多譜段同時(shí)探測(cè)，可以有效增強(qiáng)目標(biāo)分辨和識(shí)別，降低報(bào)錯(cuò)率，降低目標(biāo)丟失率等情況。

  為了實(shí)現(xiàn)小尺寸、高溫工作，人們提出了多種解決方案，其中比較成功的有勢(shì)壘型結(jié)構(gòu)，光子陷阱結(jié)構(gòu)，超晶格結(jié)構(gòu)。