在制備熱釋電薄膜紅外探測(cè)器的過(guò)程中存在的問(wèn)題是：

  1、如何使薄膜制備工藝和半導(dǎo)體工藝兼容，以期制備高性能的單片式非致冷紅外焦平面器件。

  2、如何設(shè)計(jì)探測(cè)器結(jié)構(gòu)，使探測(cè)器有較大的響應(yīng)特性。

  采用復(fù)合熱釋電薄膜可以同時(shí)很好地解決這兩個(gè)問(wèn)題，復(fù)合熱釋電薄膜的結(jié)構(gòu)如下圖所示：

  在這種結(jié)構(gòu)中，絕熱膜采用多孔SiO2薄膜，它具有孔率高、熱導(dǎo)率小等特點(diǎn)，可以很好地解決熱散失問(wèn)題，從而可以大幅度地提高探測(cè)器的響應(yīng)特性。也就是說(shuō)，復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)從解決熱散失方面，較好地解決了前面提到的第2個(gè)問(wèn)題，利用致密的SiO2薄膜作為緩沖層，稱為過(guò)渡膜，它的主要作用是為制備熱釋電薄膜提供平整的基底。

  在此結(jié)構(gòu)中：多孔SiO2絕熱薄膜、致密SiO2過(guò)渡薄膜均采用傳統(tǒng)的溶膠-凝膠工藝制備；熱釋電薄膜采用MOD方法制備；上、下電極以及吸收層的制備均采用直流濺射獲得。這些制備工藝完全與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工藝兼容，解決了薄膜制備工藝和半導(dǎo)體工藝的兼容性問(wèn)題。進(jìn)一步，采用合理的工藝和工序，就可以制備單片式復(fù)合熱釋電薄膜焦平面紅外探測(cè)器。