紅外探測(cè)器廠家介紹到由于HgCdTe材料性質(zhì)優(yōu)異，HgCdTe系列的探測(cè)器仍將主導(dǎo)高性能紅外探測(cè)器領(lǐng)域。盡管量子阱、二類超晶格得到了迅猛發(fā)展，即使應(yīng)用nBn技術(shù)降低其暗電流，仍不能撼動(dòng)HgCdTe的絕對(duì)地位。

  但在長(zhǎng)波和甚長(zhǎng)波紅外領(lǐng)域，由于HgCdTe組分不均勻性更加嚴(yán)重，HgCdTe材料也許不是最優(yōu)的選擇，而隨著InAs/GaInSb二類超晶格制備技術(shù)逐步成熟，性能可與HgCdTe相比擬，將會(huì)是該領(lǐng)域的一個(gè)不錯(cuò)選擇。

  隨著光電材料科學(xué)的進(jìn)步，元材料和納米結(jié)構(gòu)逐步實(shí)用化，為紅外光子耦合提供了新的設(shè)計(jì)思路，如光子晶體。通過(guò)提高入射光子的量子效率進(jìn)而增強(qiáng)紅外探測(cè)器的性能。

  同事，由于市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，人們把精力投放到了高溫工作探測(cè)器研制方面。提出許多新的設(shè)計(jì)思路并進(jìn)行一定程度的驗(yàn)證，包括勢(shì)壘探測(cè)器，單極勢(shì)壘探測(cè)器，光子陷阱探測(cè)器。這些新結(jié)構(gòu)探測(cè)器的性能目前雖然仍不能與常規(guī)制冷型HgCdTe探測(cè)器相比擬，但展現(xiàn)出了其巨大的潛力。尤其nBn型探測(cè)器基本笑出了產(chǎn)生復(fù)合效應(yīng)和隧道電流，性能接近常規(guī)制冷型HgCdTe探測(cè)器。未來(lái)如果把消除了價(jià)帶能帶偏移，nBn型探測(cè)器將會(huì)獲得更高的工作溫度。