紅外探測器廠家介紹到由于HgCdTe材料性質(zhì)優(yōu)異，HgCdTe系列的探測器仍將主導高性能紅外探測器領(lǐng)域。盡管量子阱、二類超晶格得到了迅猛發(fā)展，即使應(yīng)用nBn技術(shù)降低其暗電流，仍不能撼動HgCdTe的絕對地位。

  但在長波和甚長波紅外領(lǐng)域，由于HgCdTe組分不均勻性更加嚴重，HgCdTe材料也許不是最優(yōu)的選擇，而隨著InAs/GaInSb二類超晶格制備技術(shù)逐步成熟，性能可與HgCdTe相比擬，將會是該領(lǐng)域的一個不錯選擇。

  隨著光電材料科學的進步，元材料和納米結(jié)構(gòu)逐步實用化，為紅外光子耦合提供了新的設(shè)計思路，如光子晶體。通過提高入射光子的量子效率進而增強紅外探測器的性能。

  同事，由于市場驅(qū)動，人們把精力投放到了高溫工作探測器研制方面。提出許多新的設(shè)計思路并進行一定程度的驗證，包括勢壘探測器，單極勢壘探測器，光子陷阱探測器。這些新結(jié)構(gòu)探測器的性能目前雖然仍不能與常規(guī)制冷型HgCdTe探測器相比擬，但展現(xiàn)出了其巨大的潛力。尤其nBn型探測器基本笑出了產(chǎn)生復合效應(yīng)和隧道電流，性能接近常規(guī)制冷型HgCdTe探測器。未來如果把消除了價帶能帶偏移，nBn型探測器將會獲得更高的工作溫度。